Показано 1 - 50 (всего 76 товаров) |
1
|
Сортировать по цене:
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40BB4-CWEКод товара: 311459 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В |
924,20840,20 руб.(c НДС) В наличии |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWEКод товара: 75341 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В |
807,40734,00 руб.(c НДС) В наличии |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-25600 KSM32RD4/64HARКод товара: 75336 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64ГБ DDR4 3200МГц M386A8K40DM2-CWEКод товара: 483378 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 16GB DDR3 PC3-14900 KVR18R13D4/16Код товара: 75947 16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1866 МГц, CL 13T, тайминги 13-13-13, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40CM2-CTDКод товара: 77790 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-23400 KSM29RD4/64MERКод товара: 76064 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 16GB DDR3 PC3-12800 (KVR16LR11D4/16)Код товара: 75407 16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-17000 M386A4G40DM0-CPB0QКод товара: 77579 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFBYКод товара: 75035 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR3 PC3-12800 M393B2G70DB0-YK0Код товара: 77519 16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M393A2G40EB1-CRCКод товара: 77907 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40CM2-CTD7YКод товара: 77737 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 8GB DDR3 PC3-12800 KVR16LR11D4/8Код товара: 311518 8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR3 PC3-12800 M386B4G70DM0-YK0Код товара: 75440 32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 128GB DDR4 PC4-23400 M386AAG40MMB-CVFCOКод товара: 74876 128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-19200 M393A4K40CB1-CRCКод товара: 77908 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-23400 M393A4K40CB2-CVFBYКод товара: 75973 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40BM2-CTD7QКод товара: 77738 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M393A8G40MB2-CVFКод товара: 75621 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR3 PC3-12800 M393B2G70EB0-YK0Код товара: 75680 16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-23400 KSM29LQ4/64HCMКод товара: 311403 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-21300 M393A4K40CB2-CTD8QКод товара: 77726 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40BM2-CTD6QКод товара: 77739 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Supermicro 32GB DDR4 PC4-21300 MEM-DR432L-SL03-ER26Код товара: 77235 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 64GB DDR4 PC4-21300 KSM26LQ4/64HCIКод товара: 310999 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB3-CWEКод товара: 75454 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21-32, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-21300 M393A4K40CB2-CTD7YКод товара: 77303 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 2x4GB KIT DDR2 PC2-5300 (KVR667D2D4P5K2/8G)Код товара: 77987 2 модуля, частота 667 МГц, CL 5T, напряжение 1.8 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-25600 M393A2K43DB3-CWEBQКод товара: 75510 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-19200 M386A4K40BB0-CRC4QКод товара: 77740 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-23400 M393A4K40DB2-CVFКод товара: 75964 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston 32GB DDR4 PC4-19200 KSM24RD4/32HDIКод товара: 311365 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-21300 M393A4K40CB2-CTD7QКод товара: 77500 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-17000 M386A4G40DM0-CPB2QКод товара: 77476 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-21300 M386A8K40BM2-CTDКод товара: 75618 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Hynix 32GB DDR4 PC4-21300 HMA84GR7AFR4N-VKКод товара: 75262 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-21300 M393A4K40CB2-CTD6QКод товара: 75605 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Supermicro 32GB DDR4 PC4-23400 MEM-DR432L-HL01-ER29Код товара: 75794 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-23400 M393A4K40DB2-CVFBYКод товара: 75604 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston ValueRAM 16GB DDR3 PC3-12800 (KVR16R11D4/16)Код товара: 75857 16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR4 PC4-23400 M386A8K40DM2-CVFCOКод товара: 75601 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 8GB DDR3 PC3-14900 M393B1K70QB0-CMAКод товара: 75581 8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1866 МГц, CL 13T, тайминги 13-13-13, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-19200 M393A4K40CB1-CRC4QКод товара: 77727 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR3 PC3-14900 M386B4G70DM0-CMAКод товара: 75480 32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1866 МГц, CL 13T, тайминги 13-13-13, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 64GB DDR3 PC3-12800 M386B8G70DE0-CK0Код товара: 75333 64 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Kingston KVR13R9D4/16Код товара: 77122 16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-17000 M393A4K40BB0-CPB0QКод товара: 77364 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 16GB DDR3 PC3-14900 M393B2G70EB0-CMAКод товара: 75496 16 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1866 МГц, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40DB2-CWEКод товара: 362567 32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В |
- |
|
Показано 1 - 50 (всего 76 товаров) |
1
|
Сортировать:
|
|